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类别是'category.MOSFETs 晶体管阵列' (10000)

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产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	表面安装	引脚数	终端数量	晶体管元件材料															Maximum Drain Source Resistance (MOhm)																																															包装	JESD-609代码	无铅代码	零件状态	ECCN 代码	端子表面处理	附加功能	HTS代码	子类别	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	Reach合规守则	额定电流	引脚数量	JESD-30代码	资历状况	配置	操作模式	箱体转运	晶体管应用	上升时间	漏源电压 (Vdss)	极性/通道类型
SPD08P06PXT	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	[email protected]	2	Tab	TO-252	DPAK					Compliant	EAR99	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	SIPMOS	Enhancement	1	60	±20	8.83	10@10V	10	335@25V	42000	14	46	48	16	-55	175	表面贴装	2.3	6.22	6.5	卷带			Obsolete											3			Single														P
PSMN7R0-60YS,115	Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	6.4@10V	1.1(Max)	4.1(Max)	5(Max)	4	Tab	LFPAK					符合免除	EAR99	8541.29.00.95	有	有	无	无	功率MOSFET	TMOS	Enhancement	1	60	20	89	45@10V\|37.6@10V	45\|37.6	2712@30V	117000	12.6	20.3	37.9	19.9	-55	175	表面贴装	卷带			活跃											5			单一三源														N
BSO604NS2T	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	35@10V	19.7@10V	19.7	656@25V	2000	8	8	52	9	-55	150	汽车					Compliant	EAR99	8541.29.00.95	功率MOSFET	OptiMOS	Enhancement	2	55	±20	5	卷带			活跃														双排双泄														N
BSO615NT	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8	[email protected]	1.5	4	5	8	SOP	DSO	Gull-wing	60 V	Non-Compliant				不合规	EAR99	8541.29.00.95	无	无	小信号	SIPMOS	Enhancement	2	60	±20	2.6	14@10V	14	300@25V	2000	15	15	20	12	-55	150	汽车	表面贴装	卷带			Unconfirmed										2.6 A	8			双排双泄				15 ns	60 V		2.6 A					380 pF		N					无铅
AON3702	Alpha and Omega Semiconductor, Inc.	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	14.5@10V	8	DFN-A	,	AON3702	Alpha & Omega Semiconductor	Obsolete	ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR LTD	5.84					Compliant	EAR99	Unknown	Unknown	功率MOSFET	Enhancement	1	30	±12	11	24@10V\|[email protected]	24	1450@15V	3100	4	4.7	24	5.5	-55	150	表面贴装	0.85(Max)	2.3	2.9				Obsolete									unknown		8			单四漏三源														N
BSP88E6327NT	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	6000@10V	Tab	SOT	SOT-223	Gull-wing					不合规	EAR99	8541.29.00.75	有	Unknown	小信号	Enhancement	1	240	±20	0.35	4.5@10V	4.5	76@25V	1800	18.9	3.5	17.9	3.6	-55	150	表面贴装	1.6	3.5	6.5	3	卷带			Unconfirmed											4			单排双泄														N
IPP230N06L3GHKSA1	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	NO	3	SILICON	23@10V	TO-220	Tab	3	10	4.4	9.25	通孔	175	-55	9	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	FLANGE MOUNT	PLASTIC/EPOXY	IPP230N06L3GHKSA1	RECTANGULAR	Infineon Technologies AG	1	Obsolete	INFINEON TECHNOLOGIES AG	5.83	30 A		Compliant	EAR99	无	无	功率MOSFET	OptiMOS	Enhancement	1	60	±20	30	[email protected]	1200@30V	36000	3	3	19	通孔	TO-220	Tube			Obsolete	EAR99		逻辑电平兼容			SINGLE	THROUGH-HOLE		compliant		3	R-PSFM-T3		Single	增强型MOSFET		SWITCHING			N-CHANNEL		TO-220AB		0.023 Ω	120 A		60 V	N	13 mJ	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
BUZ31LXK	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	200@5V	TO-220AB	通孔					Compliant	EAR99	无	无	功率MOSFET	SIPMOS	Enhancement	1	200	±20	2	13.5	1200@25V	95000	65	80	210	25	-55	150	通孔	9.2	4.4	9.9	3	Tab	TO-220	Tube			Obsolete											3			Single														N
IPP070N06LGXK	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7@10V	Tab	TO-220	TO-220AB	通孔					Compliant	EAR99	无	无	功率MOSFET	OptiMOS	Enhancement	1	60	±20	80	95@10V	95	3200@30V	214000	31	35	28	18	-55	175	通孔	9.25	4.4	10	3	Tube			Obsolete											3			Single														N
IPI200N15N3GXKSA1	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	NO	3	SILICON	20@10V	150000	6	11	23	14	-55	175	通孔	9.25	4.4	10	3	Tab	I2PAK	TO-262	通孔	IN-LINE, R-PSIP-T3	IN-LINE	PLASTIC/EPOXY	未说明	175 °C	有	IPI200N15N3GXKSA1	RECTANGULAR	Infineon Technologies AG	1	Obsolete	INFINEON TECHNOLOGIES AG	5.83	TO-262AA	50 A		Compliant	EAR99	无	无	功率MOSFET	OptiMOS 3	Enhancement	1	150	±20	50	23@10V	23	1820@75V	Tube		有	Obsolete	EAR99				FET 通用电源	SINGLE	THROUGH-HOLE	未说明	compliant		3	R-PSIP-T3	不合格	Single	增强型MOSFET		SWITCHING			N-CHANNEL		TO-262AA	50 A	0.02 Ω	200 A		150 V	N	170 mJ	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	150 W
BSP135L6327T	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	4	45000@10V	Tab	SOT	SOT-223	Gull-wing	Compliant				Compliant	EAR99	8541.29.00.75	有	Unknown	小信号	SIPMOS	Depletion	1	600	±20	0.12	3.7@5V	98@25V	1800	182	5.6	28	5.4	-55	150	表面贴装	1.6	3.5	6.5	3	卷带			Unconfirmed											4			单排双泄														N
BSS123E6433XT	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	3	6000@10V	表面贴装	1(Max)	1.3	2.9	3	SOT	SOT-23	Gull-wing	Compliant				Compliant	EAR99	8541.21.00.95	有	Unknown	小信号	SIPMOS	Enhancement	1	100	±20	1.8	0.17	1.78@10V	1.78	55@25V	360	25	3.1	9.9	2.7	-55	150	汽车	卷带			Obsolete											3			Single														N
IPB45N06S316XT	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	15.7@10V	4.4	9.25	10	2	Tab	TO-263	D2PAK	Gull-wing					符合免除	EAR99	有	有	有	Unknown	功率MOSFET	OptiMOS	Enhancement	1	55	±20	45	43@10V	43	2980@25V	65000	68	61	26	28	-55	175	表面贴装	卷带			Obsolete											3			Single														N
BSS205NL6327XT	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	[email protected]					Compliant	EAR99	有	Unknown	小信号	OptiMOS	Enhancement	1	20	±12	2.5	[email protected]	315@10V	500	2.4	2.9	11	5.8	-55	150	表面贴装	1(Max)	1.3	2.9	3	SOT	SOT-23	Gull-wing	卷带			Obsolete											3			Single														N
SPP07N60CFDXKSA1	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	700@10V	Tab	TO-220	TO-220AB	通孔					Compliant	EAR99	无	无	功率MOSFET	CoolMOS	Enhancement	1	600	±20	6.6	35@10V	35	790@25V	83000	9	25	36	12	-55	150	通孔	9.25	4.4	10	3	Tube			Obsolete											3			Single														N
IPD230N06LGXT	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	23@10V	TO-252	DPAK					Compliant	EAR99	无	无	功率MOSFET	OptiMOS	Enhancement	1	60	±20	30	31@10V	31	1100@30V	100000	15	16	21	11	-55	175	表面贴装	2.3	6.22	6.5	2	Tab	卷带			Obsolete											3			Single														N
BSS138BK,215	Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	1600@10V	TMOS	Enhancement	1	60	20	1.6	-55 to 150	0.36	[email protected]	42@10V	420	20	5	38					5	-55	150	汽车	20	1.2	表面贴装	1(Max)	1.4(Max)	3(Max)	3	SOT	SOT-23	Gull-wing	Compliant	EAR99	8541.21.00.95	有	有	Unknown	小信号	卷带			活跃											3			Single														N
MTD20N03HDLT4G	ON Semiconductor	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	2	SILICON	100	10	74000	-55	35@5V	150	表面贴装	2.38(Max)	Gull-wing	LEAD FREE, CASE 369C-01, DPAK-3	1	PLASTIC/EPOXY	CASE 369C-01	150 °C	MTD20N03HDLT4G	安森美半导体	1	ON SEMICONDUCTOR	20 A	有	有	无	13.4@5V	880@25V	84	212	23	13	6.22(Max)	6.73(Max)	2	Tab	TO-252	DPAK	小概要	40	有	RECTANGULAR	Obsolete	5.31		符合免除	EAR99	无	功率MOSFET	Enhancement	1	30	±15	2	20	卷带	e3		Obsolete	EAR99	Tin (Sn)	雪崩额定		FET 通用电源	SINGLE	鸥翼	260	not_compliant		3	R-PSSO-G2	不合格	Single	增强型MOSFET	DRAIN	SWITCHING			N-CHANNEL			20 A	0.04 Ω	60 A		30 V	N	200 mJ	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	74 W
BSS192E6327	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	3	SILICON	20000@10V	150	表面贴装	1.5	2.5	4.5	3	Tab	SOT	SOT-89	Flat	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3	小概要	PLASTIC/EPOXY	BSS192E6327	RECTANGULAR	Infineon Technologies AG	1	Obsolete	INFINEON TECHNOLOGIES AG	6.75	0.15 A		供应商未确认	EAR99	8541.21.00.95	无	无	功率MOSFET	SIPMOS	Enhancement	1	240	±20	0.15@Ta=34C	95@25V	1000	42	25	25	8	-55	卷带			Obsolete	EAR99		逻辑电平兼容	8541.29.00.95		SINGLE	FLAT		unknown		4	R-PSSO-F3	不合格	单排双泄	增强型MOSFET	DRAIN	SWITCHING			P-CHANNEL				20 Ω			240 V	P		METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR		15 pF
PMV20ENR	Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	21@10V	9	9	-55	150	表面贴装	1(Max)	1.4(Max)	3(Max)	3	SOT	SOT-23	Gull-wing					Compliant	EAR99	8541.29.00.95	有	无	无	小信号	TMOS	Enhancement	1	30	20	2	6	100	1	7.2@10V	7.2	435@15V	1200	8	17	卷带			活跃											3			Single														N
PMZB1200UPEYL	Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	[email protected]	表面贴装	0.36(Max)	0.6	1	3	DFN-B					Compliant	EAR99	8541.21.00.95	有	无	无	小信号	TMOS	Enhancement	1	30	8	0.95	0.41	5000	1	[email protected]	43.2@15V	400	5	4	14	3	-55	150	卷带			活跃											3			Single														P
PMZ320UPEYL	Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	[email protected]	表面贴装	0.47(Max)	0.62(Max)	1.02(Max)	3	DFN					Compliant	EAR99	8541.21.00.95	有	无	无	小信号	TMOS	Enhancement	1	30	8	0.95	1	5000	1	[email protected]	122@15V	760	5	6	22	3	-55	150	卷带			活跃											3			Single														P
PMV20XNEAR	Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	[email protected]	40	44	16	-55	150	汽车	表面贴装	1(Max)	1.4(Max)	3(Max)	3	SOT	SOT-23	Gull-wing					Compliant	EAR99	8541.29.00.95	有	有	Unknown	功率MOSFET	TMOS	Enhancement	1	20	12	1.25	6.3	10000	1	[email protected]	930@10V	144@10V	1190	22	卷带			活跃											3			Single														N
NTR2101PT1G	Murata Electronics	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	[email protected]	15.75	38	7.4	-55	150					Compliant	EAR99	8541.21.00.95	小信号	TMOS	Enhancement	1	8	±8	3.7	[email protected]	1173@4V	960	31	卷带			活跃														Single														P
IRHM7450SE	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	NO	3	SILICON	12	100	570@12V	50	140(Max)@12V	2800@25V	151000	60(Max)	60(Max)	75(Max)	35(Max)	-55	150	通孔	13.84(Max)	6.6(Max)	13.84(Max)	3	Tab	TO-254-AA	TO-254AA	通孔	HERMETIC SEALED, TO-254AA, 3 PIN	FLANGE MOUNT	METAL	未说明	125 °C	无	IRHM7450SE	SQUARE	Infineon Technologies AG	1	活跃	INFINEON TECHNOLOGIES AG	5.09	12 A		不合规	出口接触方式	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	HEXFET	Enhancement	1	500	±20	4.5		e0		活跃	EAR99	Tin/Lead (Sn/Pb)			FET 通用电源	SINGLE	PIN/PEG	未说明	unknown		3	S-MSFM-P3	不合格	Single	增强型MOSFET		SWITCHING			N-CHANNEL		TO-254AA	11 A	0.57 Ω	48 A		500 V	N	500 mJ	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	150 W